A Samsung anunciou, na última quarta-feira (17), o desenvolvimento da nova memória LPDDR5X, que se destaca por alcançar uma velocidade impressionante de 10,7 Gbps e oferecer uma capacidade aumentada de até 32 GB.
O lançamento marca a primeira vez que uma memória padrão LPDDR ultrapassa a barreira de 10 Gbps, superando a variante LPDDR5T da SK Hynix, que atingia 9,6 Gbps.
Produzida em um processo de 12 nm, a memória LPDDR5X da Samsung é descrita como o melhor chip LPDDR da empresa até o momento, apresentando um desempenho 25% superior ao de modelos anteriores e uma capacidade 30% maior.
A evolução torna a memória adequada para uma variedade de aplicações que envolvem o uso de inteligência artificial (IA), não se limitando apenas a dispositivos móveis, mas expandindo seu uso para PCs, aceleradores, servidores e automóveis.
YongCheol Bae, vice-presidente de planejamento de produtos de memória da Samsung, ressaltou a crescente demanda por memórias que consomem menos energia enquanto entregam mais recursos. A Samsung programou a produção em massa das memórias LPDDR5X para iniciar no segundo semestre de 2024.
